ZnGeP2 — Optaic Neamhlíneach Infridhearg Sáithithe
Cur Síos ar an Táirge
Mar gheall ar na hairíonna uathúla seo, tá sé ar cheann de na hábhair is geallta le haghaidh feidhmeanna optúla neamhlíneacha. Is féidir le ZnGeP2 aschur léasair leanúnach inchoigeartaithe 3–5 μm a ghiniúint tríd an teicneolaíocht luaineachta paraiméadrach optúil (OPO). Tá léasair, a oibríonn sa fhuinneog tarchuir atmaisféarach de 3–5 μm, thar a bheith tábhachtach do go leor feidhmeanna, amhail frithbheart infridhearg, monatóireacht cheimiceach, fearas leighis, agus braiteadh cianda.
Is féidir linn ZnGeP2 ardchaighdeáin optúil a thairiscint le comhéifeacht ionsúcháin thar a bheith íseal α < 0.05 cm-1 (ag tonnfhaid caidéil 2.0-2.1 µm), ar féidir é a úsáid chun léasar inchoigeartaithe lár-infridhearg a ghiniúint le héifeachtúlacht ard trí phróisis OPO nó OPA.
Ár gCumas
Cruthaíodh agus cuireadh Teicneolaíocht Réimse Teochta Dinimiciúil i bhfeidhm chun polachriostalach ZnGeP2 a shintéisiú. Tríd an teicneolaíocht seo, sintéisíodh níos mó ná 500g de pholachriostalach ZnGeP2 ardíonachta le gráinní ollmhóra in aon rith amháin.
Tá an modh Reo Grádáin Chothrománach in éineacht le Teicneolaíocht Muineál Treoshuímh (ar féidir léi dlús an díláithrithe a ísliú go héifeachtúil) curtha i bhfeidhm go rathúil ar fhás ZnGeP2 ardchaighdeáin.
Tá an ZnGeP2 ardchaighdeáin ar leibhéal cileagraim leis an trastomhas is mó ar domhan (Φ55 mm) fásaithe go rathúil tríd an modh Reo Grádáin Ingearach.
Fuarthas garbhúlacht agus cothromúlacht dhromchla na bhfeistí criostail, níos lú ná 5Å agus 1/8λ faoi seach, lenár dteicneolaíocht chóireála dromchla gaiste mín.
Tá an diall uillinne deiridh de na gléasanna criostail níos lú ná 0.1 céim mar gheall ar chur i bhfeidhm treoshuímh bheacht agus teicnící gearrtha beachta.
Baineadh amach na gléasanna a bhfuil feidhmíocht den scoth acu mar gheall ar ardchaighdeán na gcriostal agus an teicneolaíocht próiseála criostail ardleibhéil (Gintear an léasar inchoigeartaithe lár-infridhearg 3-5μm le héifeachtúlacht chomhshó níos mó ná 56% nuair a phumpálann foinse solais 2μm é).
Trí iniúchadh leanúnach agus nuálaíocht theicniúil, tá ár ngrúpa taighde tar éis máistreacht rathúil a fháil ar theicneolaíocht shintéise polachriostalach ZnGeP2 ard-íonachta, teicneolaíocht fáis ZnGeP2 agus treoshuíomh criostail agus teicneolaíocht próiseála ardchruinneas de mhéid mhór agus ardchaighdeáin; is féidir leo feistí ZnGeP2 agus criostail bhunaidh mar a fhástar iad a sholáthar i scála mais le haonfhoirmeacht ard, comhéifeacht ionsúcháin íseal, dea-chobhsaíocht, agus éifeachtúlacht chomhshó ard. Ag an am céanna, tá sraith iomlán ardán tástála feidhmíochta criostail bunaithe againn a chuireann ar ár gcumas seirbhísí tástála feidhmíochta criostail a sholáthar do chustaiméirí.
Feidhmchláir
● An dara, an tríú, agus an ceathrú glúin armónach de léasar CO2
● Giniúint paraiméadrach optúil le caidéalú ag tonnfhad 2.0 µm
● An dara glúin armónach de léasar CO
● Radaíocht chomhtháite a tháirgeadh i raon fo-mhilliméadair ó 70.0 µm go 1000 µm
● Giniúint minicíochtaí comhcheangailte radaíochta léasair CO2 agus CO agus léasair eile ag obair i réigiún trédhearcachta an chriostail.
Airíonna Bunúsacha
| Ceimiceach | ZnGeP2 |
| Siméadracht agus Rang Criostail | teitreagónach, -42m |
| Paraiméadair Laitíse | a = 5.467 Å c = 12.736 Å |
| Dlús | 4.162 g/cm3 |
| Cruas Mohs | 5.5 |
| Rang Optúil | Aonaiseach dearfach |
| Raon Tarchuir Úsáideach | 2.0 um - 10.0 um |
| Seoltacht Theirmeach @ T= 293 K | 35 W/m∙K (⊥c) 36 W/m∙K (∥ c) |
| Leathnú Teirmeach @ T = 293 K go 573 K | 17.5 x 106 K-1 (⊥c) 15.9 x 106 K-1 (∥c) |
Paraiméadair Theicniúla
| Caoinfhulaingt Trastomhas | +0/-0.1 mm |
| Caoinfhulaingt Fad | ±0.1 mm |
| Caoinfhulaingt Treoshuímh | <30 nóiméad arc |
| Cáilíocht Dromchla | 20-10 SD |
| Cothromas | <λ/4@632.8 nm |
| Comhthreomhaireacht | <30 stua-soicind |
| Ingearach | <5 stuaicnóiméad |
| Chamfer | <0.1 mm × 45° |
| Raon trédhearcachta | 0.75 - 12.0 µm |
| Comhéifeachtaí Neamhlíneacha | d36 = 68.9 pm/V (ag 10.6μm) d36 = 75.0 pm/V (ag 9.6 μm) |
| Tairseach Damáiste | 60 MW/cm2 ,150ns@10.6μm |
